杂质磷对单晶硅微结构疲劳特性的影响——基于Paris公式的分析

PDF(2665 KB)

机械工程学报 ›› 2014, Vol. 50 ›› Issue (24) : 86-92. DOI: 10.3901/JME.2014.24.086

扫码查看或转发全文

论文

作者信息 +

Analysis of the Effect of Phosphorus Doping on the Lifetime of the Single Crystal Silicon Micro-beam Based on Paris Formula

Author information +

文章历史 +

导出引用

{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2014, 50(24): 86-92 https://doi.org/10.3901/JME.2014.24.086

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2014, 50(24): 86-92 https://doi.org/10.3901/JME.2014.24.086

中图分类号：

原文顺序 | 文献年度倒序 | 文中引用次数倒序

PDF(2665 KB)

Accesses

Citation

Detail

段落导航